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第192章 团队攻14nmF
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第192章 团队攻14nmFinFET

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    华夏芯谷14nm研发中心的灯光,与EUV实验室的孤勇之光不同,这里的光芒密集而灼热。
    数百台伺服器组成的计算集群昼夜不休,散热风扇的轰鸣交织成一首沉闷的战歌,屏幕上滚动的晶片设计图丶仿真曲线和良率分析报告,构成了这场「螺蛳壳里做道场」攻坚战的核心战场。
    梁志远的眼睛布满血丝,下巴上冒出了青色的胡茬。
    他将一件厚厚的冲锋衣搭在椅背上,手里攥着一份刚列印出来的DTCO仿真报告,指节因用力而微微发白。
    「章宸博士,你看这里。」
    他对着视频通话界面挥手,将报告凑近摄像头,
    「按照我们『设计换良率』的思路,把高性能CPU核心和部分缓存拆分,通过Chiplet集成,仿真良率从18%提升到了35%,但电晶体漏电率超标了12%,而且芯粒间的互联延迟比预期高了5纳秒。这性能损失……太大了。」
    视频那头的章宸同样面色憔悴,他身后的白板上写满了关于FinFET鳍片宽度与栅氧厚度的复杂公式。
    「漏电率问题出在DUV多重图形的掺杂工艺上,」
    章宸的手指在触控板上滑动,调出一份三维电晶体结构图,
    「三重图形导致的离子注入深度不均匀,我们之前的仿真模型低估了这种边缘效应。我建议,将鳍式场效应电晶体(FinFET)的栅极长度从14nm微调至14.5nm,牺牲一点极致性能,换取漏电率的显着下降。你让团队按这个新结构重新跑仿真。」
    「牺牲性能?」
    旁边一位年轻工程师忍不住插话,他叫陈默,是「星火计划」的优秀学员,脸上带着对极致性能的执着,
    「章博士,这样一来,我们的CPU单核频率会不会比水果的W3晶片差太多?市场能接受吗?」
    章宸看着屏幕里的年轻人,眼神温和却坚定:
    「陈默,我们现在的首要目标是『能造出来丶能量产』。14nm工艺对我们而言,是从0到1的生死线,不是和巨头在极限性能上赛跑的舞台。先解决有无,再谈优劣。等良率稳定了,我们可以通过架构优化丶甚至下一代工艺把性能追回来,但良率上不去,一切都是空谈。」
    梁志远拍了拍陈默的肩膀:
    「章博士说得对。用DUV走多重图形,本身就是逆流而上,我们必须学会妥协,在性能丶功耗丶良率这个『不可能三角』里,找到属于我们自己的最佳平衡点。」
    陈默深吸一口气,点了点头,立刻转身投入到仿真参数的调整中。实验室里再次只剩下键盘敲击声和伺服器风扇的嗡鸣。
    几个小时后,新的仿真结果出来了:漏电率下降至标准范围内,互联延迟通过优化C-CIS传输协议,压缩到了3.2纳秒,良率仿真数据定格在42%。
    「有进展!」
    团队里响起一阵压抑的欢呼。梁志远却不敢放松:
    「42%还不够,距离量产所需的60%良率还有巨大差距。我们必须找到影响良率的关键瓶颈。」
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